Voir la source de Tellurure de gallium(II)

{{Infobox Chimie
 | nom = Tellurure de gallium({{II}})
 | image = GaTe.png
 | taille image = 225
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 | images = <!--[[Fichier:|130px]][[Fichier:|130px]]<br>-->
 | légende = <span style="background-color:#00CCCC;color:#00CCCC">__</span>&nbsp;[[Gallium|Ga{{exp|2+}}]] &nbsp; &nbsp; &nbsp; <span style="background-color:#C0C0C0;color:#C0C0C0">__</span>&nbsp;[[Tellure|Te{{exp|2-}}]]<br>[[Maille cristalline]] du tellurure de gallium({{II}})
<!-- Général -->
 | DCI = 
 | nomIUPAC = tellanylidènegallium
 | nomSystematique = tellurure de gallium({{II}})
 | synonymes = 
 | CAS = {{CAS|1|2|0|2|4|1|4|5}}
 | ECHA = 100.031.524
 | EINECS = {{EINECS|2|3|4|6|9|0|1}}
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 | StdInChI = 1S/Ga.Te
 | StdInChIKey = OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N
 | apparence = solide inodore<ref name="aa">{{Alfa Aesar|41881|Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis)|Date=27 janvier 2023}}</ref>
<!-- Propriétés chimiques -->
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 | categorisationAuto=désactivée
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<!-- Propriétés physiques -->
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 | fusion = {{tmp|824|°C}}<ref name="3-432-02328-6">{{de}} Georg Brauer, en collaboration avec Marianne Baudler, ''Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie'', {{3e|{{éd.}}}} révisée, {{vol.|1}}, Ferdinand Enke, Stuttgart, 1975, {{p.|861}}. {{ISBN|3-432-02328-6}}</ref>
 | ebullition = {{tmp||°C}}
 | solubilite = {{Unité/2||g||L|-1}}
 | parametreSolubilite = <!-- {{Unité/2||MPa|1/2}} ({{température||°C}}) -->
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<!-- Thermochimie -->
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<!-- Propriétés biochimiques -->
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<!-- Propriétés électroniques -->
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<!-- Cristallographie -->
 | systemeCristallin = 
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 | Schoenflies = 
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 | parametresMaille = 
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<!-- Propriétés optiques -->
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<!-- Précautions -->
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 | SGHref = <ref name="aa"/>
 | SGH = {{SGH|SGH07|Wng|H302|H315|H319|H335|P301+P330+P331|P312|P302+P352|P337+P313|P304+P340|P280|P332+P313}}
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 | NFPA704 = {{NFPA 704|Health=2|Flammability=0|Reactivity=0|Other=}}
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<!-- Écotoxicologie -->
 | DL50 = <!-- {{Unité/2||mg||kg|-1}} (souris, [[Ingestion|oral]]) <br> (souris, [[Injection intraveineuse|i.v.]]) <br> (souris, [[sous-cutané|s.c.]]) <br> (souris, [[intrapéritonéal|i.p.]]) -->
 | CL50 = 
 | LogP = <!--([[octanol]]/eau)-->
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<!-- Données pharmacocinétiques -->
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<!-- Composés apparentés -->
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<!-- Supplément -->
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}}<!-- ----------------------------- Fin de l'infoboîte ----------------------------- -->
Le '''tellurure de gallium({{II}})''' est un [[composé chimique]] de [[Formule chimique|formule]] GaTe. C'est un [[semi-conducteur]] à [[Gap direct et gap indirect|gap direct]]<ref name="2017PhDT.......106F">
{{Lien web
 | langue      = en
 | format      = pdf
 | auteur1     = Jose Javier Fonseca Vega
 | url         = https://escholarship.org/uc/item/9dp4z0f3
 | titre       = Bandgap Engineering of Gallium Telluride
 | date        = 2017
 | site        = escholarship.org
 | éditeur     = UC Berkeley Electronic Theses and Dissertations
 | isbn        = 
 | page        = 1
 | citation    = 
 | bibcode     = 2017PhDT.......106F
 | consulté le = 27 janvier 2023
}}.</ref> avec une [[largeur de bande interdite]] de {{unité|1.65|eV}}<ref name="10.1002/adma.201601151">
{{Article
 | langue      = en
 | nom1        = Jose J. Fonseca, Sefaattin Tongay, Mehmet Topsakal, Annabel R. Chew, Alan J. Lin, Changhyun Ko, Alexander V. Luce, Alberto Salleo, Junqiao Wu et Oscar D. Dubon
 | titre       = Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air
 | périodique  = Advanced Materials
 | volume      = 28
 | numéro      = 30
 | jour        = 10
 | mois        = août
 | année       = 2016
 | pages       = 6465-6470
 | url texte   = https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201601151
 | consulté le = 27 janvier 2023
 | doi         = 10.1002/adma.201601151
 | pmid        = 27171481
 | bibcode     = 2016AdM....28.6465F
}}.</ref>{{,}}<ref name="10.1002/crat.200290006">
{{Article
 | langue      = en
 | nom1        = A. Aydinli, N. M. Gasanly, A. Uka et H. Efeoglu
 | titre       = Anharmonicity in GaTe layered crystals
 | périodique  = Crystal Research & Technology
 | volume      = 37
 | numéro      = 12
 | jour        = 
 | mois        = décembre
 | année       = 2002
 | pages       = 1303-1309
 | url texte   = https://www.researchgate.net/profile/Arban-Uka-2/publication/230152665_Anharmonicity_in_GaTe_layered_crystals/links/5f2558f6a6fdcccc439fe45b/Anharmonicity-in-GaTe-layered-crystals.pdf
 | consulté le = 27 janvier 2023
 | doi         = 10.1002/crat.200290006
 | pmid        = 
 | bibcode     = 
}}.</ref>. Il se présente sous la forme de flocons noirs, mous, aux reflets gras et brillants, s'écrasant facilement.

On le connaît sous quatre [[Structure cristalline|structures cristallines]], les deux [[Polymorphisme (chimie)|polymorphes]] principaux étant l'{{nobr|{{math|α}}-GaTe}}, [[cristal]]lisé dans le [[Système cristallin monoclinique|système monoclinique]] selon le [[groupe d'espace]] {{nobr|''C''2/''m''}} ({{n°|[[Liste des groupes d'espace|12]]}}), et le {{nobr|{{math|β}}-GaTe}}, cristallisé dans le [[Système cristallin hexagonal|système hexagonal]] selon le groupe d'espace {{nobr|''P''6{{ind|3}}/''mmc''}} ({{n°|[[Liste des groupes d'espace|194]]}}), comme le [[séléniure de gallium(II)]] GaSe. Dans la forme {{math|α}}, chaque [[atome]] de [[gallium]] est lié à un autre atome de gallium et à trois atomes de [[tellure]], ce qui donne une [[Géométrie moléculaire tétraédrique|géométrie tétraédrique]]. Chaque atome de tellure est, quant à lui, lié à trois atomes de gallium dans une [[Géométrie moléculaire pyramidale trigonale|géométrie pyramidale trigonale]], ce qui donne une structure feuilletée. La forme {{math|β}} est [[Métastabilité|métastable]] et donne la forme {{math|α}} à haute température<ref name="0-12-544423-0">{{en}} Edward D. Palik, ''Handbook of Optical Constants of Solids'', Academic Press, 1998, {{p.|489}}. {{ISBN|0-12-544423-0}}</ref>. Les autres polymorphes de GaTe sont monocliniques<ref name="3-432-02328-6"/>{{,}}<ref name="90-277-2102-5">{{en}} V. Grasso, ''Electronic Structure and Electronic Transitions in Layered Materials'', Springer, 1986, {{p.|232}}. {{ISBN|90-277-2102-5}}</ref>{{,}}<ref name="10.1016/j.jcrysgro.2012.11.038">
{{Article
 | langue      = en
 | nom1        = N. N. Kolesnikov, E. B. Borisenko, D. N. Borisenko et A. V. Timonina
 | titre       = Structure and microstructure of GaTe crystals grown by High-Pressure vertical zone melting
 | périodique  = Journal of Crystal Growth
 | volume      = 365
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 | jour        = 15
 | mois        = février
 | année       = 2013
 | pages       = 59-63
 | url texte   = https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024812008354
 | consulté le = 27 janvier 2023
 | doi         = 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.038
 | pmid        = 
 | bibcode     = 2013JCrGr.365...59K
}}.</ref>. 

Le tellurure de gallium({{II}}) peut être obtenu par réaction directe de [[gallium]] [[métal]]lique avec du [[tellure]] [[Corps simple|élémentaire]]<ref name="3-432-02328-6"/> :
:[[Gallium|Ga]] + [[Tellure|Te]] ⟶ GaTe.

Il est également possible de le faire [[Cristallogenèse|croître]] par [[Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques|{{Abréviation|MOCVD|MetalOrganic Chemical Vapor Deposition}}]]<ref name="10.1021/cm9703886">
{{Article
 | langue      = en
 | nom1        = Edward G. Gillan et Andrew R. Barron
 | titre       = Chemical Vapor Deposition of Hexagonal Gallium Selenide and Telluride Films from Cubane Precursors:  Understanding the Envelope of Molecular Control
 | périodique  = Chemistry of Materials
 | volume      = 9
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 | jour        = 16
 | mois        = décembre
 | année       = 1997
 | pages       = 3037-3048
 | url texte   = https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cm9703886
 | consulté le = 27 janvier 2023
 | doi         = 10.1021/cm9703886
 | pmid        = 
 | bibcode     = 
}}.</ref>.

== Notes et références ==
{{Références}}

{{Palette|Composés du tellure|Composés du gallium}}
{{Portail|chimie}}

[[Catégorie:Tellurure|Gallium]]
[[Catégorie:Composé du gallium]]
[[Catégorie:Composé III-VI]]