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Correspondances dans les titres des pages

• Transistor bipolaire
  [[Fichier:PowerTransistor 2N3055 1.jpg|vignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970.]] [[Fichier:Smdtransistorpn.jpg|vignette|Transistor bipolaire [[Composant monté en surface|monté en surface]].]] ...
  39 kio (6 422 mots) - 19 février 2025 à 19:30
• Junction Field Effect Transistor
  ...ransistor]] de type JFET ('''Junction Field Effect Transistor''') est un [[transistor à effet de champ]] dont la grille est directement en contact avec le canal. ...nction<ref name="p146">{{Harvsp|texte=William Shockley: Co-Inventor of the Transistor|id=PIS1989|p=146}}</ref>. ...
  11 kio (1 814 mots) - 15 avril 2024 à 04:05
• Transistor à effet tunnel
  ...e celle d'un [[transistor à effet de champ]] métal-oxyde-semiconducteur ([[Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde|MOSFET]]), les mécanismes fondamentau ...ec du MOSFET est possible. En 2004, ils ont annoncé qu'ils avaient créé un transistor à effet tunnel à base de nanotube de carbone manifestant seulement 40 mV pa ...
  7 kio (1 177 mots) - 8 janvier 2024 à 13:39
• Transistor à un électron
  ...r, K. Banerjee, and A. M. Ionescu, “Analytical Modeling of Single Electron Transistor for Hybrid CMOS-SET Analog IC Design,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 5 ...ectronics: the first demonstration of a cluster single-electron tunnelling transistor at room temperature". Nanotechnology. 13 (2): 185–194. Bibcode:2002Nanot..1 ...
  19 kio (3 293 mots) - 27 avril 2024 à 16:49
• Transistor à effet de champ
  [[Image:P45N02LD.jpg|thumb|Circuit électronique avec transistor à effet de champ]] ...tivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le [[transistor bipolaire]] dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électroniq ...
  11 kio (1 617 mots) - 27 février 2025 à 22:16
• Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde
  ...cteur''), est un type de [[transistor à effet de champ]]. Comme tous les [[transistor]]s, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliq De plus, le transistor est caractérisé par la charge de ses porteurs majoritaires qui détermine s' ...
  11 kio (1 726 mots) - 26 février 2025 à 09:10

Correspondances dans le texte des pages

• Transconductance
  ...conductance''' aussi appelée pente, pour un [[transistor bipolaire]], un [[transistor à effet de champ]], un [[Tube électronique|tube à vide]] ou un [[amplificat ...est le courant continu (ou [[courant de polarisation]]) circulant dans le transistor. ...
  1 kio (173 mots) - 6 mars 2025 à 16:06
• Drain commun
  ...ilisant un [[transistor à effet de champ]]. Ce montage est le pendant pour transistor à effet de champ du [[collecteur commun]]. Il est typiquement utilisé comme ** Pour [[transistor bipolaire]] : ...
  2 kio (228 mots) - 27 décembre 2018 à 20:09
• Montage cascode
  ...tous deux bipolaires, tous deux à effet de champ, ou un de chaque). Chaque transistor apporte dans le montage un avantage propre (rapidité pour l'un, sensibilité ...version en tension, qui constitue le signal utile, est assurée par l'autre transistor. ...
  2 kio (304 mots) - 28 décembre 2024 à 22:58
• Effet Kirk
  ...r C.T Kirk, à la suite de ses travaux au [[MIT]]<ref>C.T Kirk, A Theory of Transistor Cutoff Frequency Falloff at High Current Densities, IRE Transaction on Elec Cet effet est rencontré dans le mode de fonctionnement normal du transistor, au niveau de la jonction base collecteur polarisée en inverse. ...
  2 kio (343 mots) - 27 décembre 2018 à 20:23
• Comparateur logique
  ...ementary metal oxide semi-conductor|CMOS]] 4063 et 4585 et le [[Transistor-Transistor logic|TTL]] 7485 et 74682-89. ...
  1 kio (207 mots) - 23 mars 2024 à 19:27
• Collecteur commun
  ...r » du transistor est reliée à l’alimentation. Dans ce montage, la base du transistor sert d’entrée ; le collecteur est relié à un « rail » d’alimentation ou à l ...e de sortie dans les amplificateurs de classes B et AB. La polarisation du transistor est alors modifiée pour qu'il fonctionne en classe B ou AB. Dans le cas d'u ...
  5 kio (752 mots) - 28 décembre 2024 à 22:59
• Ligne de charge (électronique)
  ...ique|tension]] dans un dispositif non linéaire comme une [[diode]] ou un [[transistor]]. Il représente la contrainte mise sur la tension et le courant dans le di Dans un circuit [[Transistor bipolaire|BJT]] (pour ''Bipolar Junction Transistor'' en anglais), le BJT a une caractéristique courant-tension (I_C- ...
  8 kio (1 304 mots) - 7 juillet 2024 à 00:21
• Tension thermique
  ...'''''V{{ind|th}}'''''), est utilisée dans certaines équations liées aux [[transistor]]s : <math>V_{th} = \frac{k\;T}{q}</math>, avec {{math|''k''}} [[constante ...
  600 octet (74 mots) - 20 mai 2020 à 20:08
• Neutrodynage
  ...cteur (dans le cas d'un [[transistor bipolaire]]), grille-drain (pour un [[transistor à effet de champ]]) ou grille-anode (pour un [[Tube électronique|tube à vid [[Catégorie:Transistor]] ...
  2 kio (389 mots) - 21 octobre 2024 à 10:33
• Oscillateur Colpitts
  Le [[montage électrique|montage]] suivant se base sur un [[transistor]] NPN monté en polarisation par base commune. Sa fréquence est d'environ {{ ...ipolaire est un exemple, un [[Junction Field Effect Transistor|JFET]] ou [[Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde|MOSFET]] peut convenir, pourvu qu'il ...
  5 kio (758 mots) - 28 décembre 2024 à 22:56
• Equivalent Oxide Thickness
  ...un niveau de l'ordre de 5 à 10 nm, l'augmentation des courants de fuite du transistor est devenue problématique, et il a été nécessaire de faire appel à de nouve [[Catégorie:Transistor]] ...
  3 kio (492 mots) - 21 octobre 2024 à 14:37
• Base commune
  ...aire]]. Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est app ...] ''k'', de la [[charge élémentaire]] ''q'', et de la température ''T'' du transistor en [[kelvin]]s. À température ambiante elle est de {{unité|25|mV}} (cf. [ht ...
  4 kio (694 mots) - 28 décembre 2024 à 23:00
• Oscillateur Armstrong
  ...e schéma de circuit présenté est une mise en œuvre moderne, utilisant un [[transistor à effet de champ]] comme élément d'amplification. La conception originale d ...2.8)<ref>{{Ouvrage|langue=en|auteur1=A. Grebennikov|titre=RF and Microwave Transistor Oscillator Design|éditeur=Wiley|date=2007|isbn=978-0-470-02535-2}}</ref>. D ...
  4 kio (563 mots) - 28 décembre 2024 à 22:56
• Bruit de scintillation
  ...sont variées : il peut être dû à des impuretés dans le matériau pour un [[transistor]], par exemple, qui libèrent aléatoirement des porteurs de charge, ou bien ...fect Transistor|transistors à effet de champ à jonction]] (JFET) que les [[Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde|transistors à effet de champ à grille ...
  3 kio (474 mots) - 19 décembre 2023 à 19:13
• Sortance
  ...ont pas les mêmes limites. Par exemple l'ancienne technologie [[Transistor-Transistor logic|TTL]] est caractérisée par une sortance de 2 à 10. ...
  2 kio (307 mots) - 27 décembre 2018 à 17:16
• Transistor à effet de champ
  [[Image:P45N02LD.jpg|thumb|Circuit électronique avec transistor à effet de champ]] ...tivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le [[transistor bipolaire]] dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électroniq ...
  11 kio (1 617 mots) - 27 février 2025 à 22:16
• Oscillateur Clapp
  ...r régler la fréquence de l'oscillateur. Les oscillateurs LC utilisent un [[transistor]] (ou un [[Tube électronique|tube à vide]] ou un autre élément de gain) et ...Hertz (cycles par seconde) pour le circuit de la figure, qui utilise un [[transistor à effet de champ]] (FET), est la suivante : ...
  6 kio (868 mots) - 28 décembre 2024 à 22:56
• Émetteur commun
  ...ue l'une des trois configurations élémentaires pour l'amplification d'un [[transistor bipolaire]]. Les deux autres se nomment ''[[base commune]]'' et ''[[collect ...et le collecteur à la charge de sortie. Le circuit analogue utilisant un [[transistor à effet de champ]] se nomme montage amplificateur à [[source commune]]. ...
  9 kio (1 447 mots) - 28 décembre 2024 à 22:58
• Transistor à effet tunnel
  ...e celle d'un [[transistor à effet de champ]] métal-oxyde-semiconducteur ([[Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde|MOSFET]]), les mécanismes fondamentau ...ec du MOSFET est possible. En 2004, ils ont annoncé qu'ils avaient créé un transistor à effet tunnel à base de nanotube de carbone manifestant seulement 40 mV pa ...
  7 kio (1 177 mots) - 8 janvier 2024 à 13:39
• Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde
  ...cteur''), est un type de [[transistor à effet de champ]]. Comme tous les [[transistor]]s, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliq De plus, le transistor est caractérisé par la charge de ses porteurs majoritaires qui détermine s' ...
  11 kio (1 726 mots) - 26 février 2025 à 09:10