Arséniure de zinc

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Modèle:Infobox Chimie L'arséniure de zinc est un composé chimique de formule Modèle:Fchim. Il se présente sous la forme d'un solide gris argenté semiconducteur Modèle:II-Modèle:V[1] ayant une largeur de bande interdite de Modèle:Unité[2].

Il présente une structure cristalline tétragonale centrée de groupe d'espace Modèle:Nobr (Modèle:N°) avec les paramètres cristallins Modèle:Nobr et Modèle:Nobr. Les atomes de zinc occupent trois sites cristallographiques distincts mais sont tous coordonnés aux atomes d'arsenic avec une géométrie tétraédrique tandis que les atomes d'arsenic sont coordonnés chacun à six atomes de zinc. Cette structure est très semblable à celle de l'arséniure de cadmium Modèle:Fchim, du phosphure de zinc Modèle:Fchim et du phosphure de cadmium Modèle:Fchim, le Modèle:Lien formant des solutions solides continues[3].

D'autres structures sont observées à températures plus élevées[4], une seconde phase tétragonale à Modèle:Tmp et une troisième phase à Modèle:Tmp[5].

L'arséniure de zinc peut être obtenu en faisant réagir du zinc avec de l'arsenic sous atmosphère d'azote à Modèle:Tmp[4] :

3 Zn + 2 AsModèle:Fchim.

Il se décompose sous l'action des acides en libérant de l'arsine Modèle:Fchim[4] :

Modèle:Fchim + [[Acide sulfurique|Modèle:Fchim]] ⟶ 3 [[Sulfate de zinc|Modèle:Fchim]] + 2 [[Arsine|Modèle:Fchim]].

Dans l'industrie des semiconducteurs, l'arséniure de zinc est utilisé pour le dopage et la production d'arsine[6]Modèle:,[7].

Notes et références

Modèle:Références

Modèle:Palette Modèle:Portail

  1. Modèle:En Edward D. Palik, Handbook of Optical Constants of Solids, Academic Press, 1998, Modèle:P.. Modèle:ISBN
  2. Modèle:Article
  3. Modèle:Article
  4. 4,0 4,1 et 4,2 Modèle:De Georg Brauer, en collaboration avec Marianne Baudler, Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, Modèle:3e révisée, Modèle:Vol., 1975, Modèle:P.. Modèle:ISBN
  5. Modèle:Article
  6. Modèle:En Jeanne Mager Stellman, Encyclopaedia of Occupational Health and Safety: Chemical, industries and occupations, International Labour Organization, 1998, Modèle:P.. Modèle:ISBN
  7. Modèle:En Anthony C. Jones et Michael L. Hitchman, Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications, Royal Society of Chemistry, 2009, Modèle:P.. Modèle:ISBN