Effet Gibbs-Thomson

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Modèle:Voir homonymie En chimie physique, l'effet Gibbs-Thomson décrit la relation entre la tension de surface et la pression de vapeur saturante d'un système composé de deux phases. Elle est nommée d'après les physiciens Josiah Willard Gibbs[1], et Joseph John Thomson[2].

Énoncé

Dans un système composé de deux phases gaz et liquide (ou solide), cet effet est décrit par l'équation de Gibbs-Thomson, qui est donné par :

ppvapeur=exp(RcritiqueR)
Rcritique=2σVatomegouttelettekBT

où :

R est le rayon de la gouttelette
σ  est la tension de surface de la gouttelette,
Vatomegouttelette le volume d'un atome dans la goutte,
kB la constante de Boltzmann,
pvapeur la pression de vapeur saturante,
p la pression partielle,
T la température.

Cette équation suppose que le gaz environnant est considéré comme parfait. Elle montre que la pression de vapeur saturante augmente lorsque le rayon de la gouttelette diminue.

Applications

L'effet Gibbs-Thomson permet notamment d'expliquer le mûrissement d'Ostwald, qui consiste à décrire l'évolution d'une distribution de gouttelettes (ou de nanoparticules) par la diffusion, dans un système en équilibre entre deux phases.

Notes et références

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