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...de. À température décroissante, croiser le liquidus revient à initier la [[cristallogenèse|cristallisation]] partielle (apparition des premiers [[cristal|cristaux]]) ...

== La cristallogenèse == La [[cristallogenèse]] est la formation d'un cristal, soit en milieu naturel, soit de façon expé ...

* [[Cristallogenèse]] [[Catégorie:Cristallogenèse]] ...

...rise en compte de ces défauts est importante pour la compréhension de la [[Cristallogenèse|croissance]] et de la [[dissolution (chimie)|dissolution]] des cristaux. ...

...} peut également être utilisé avec l'[[ammoniac]] {{fchim|NH|3}} pour la [[Cristallogenèse|croissance]] à basse température de [[nanofil]]s de [[nitrure de gallium]] ...

* [[Cristallogenèse]] ...

Il est également possible de le faire [[Cristallogenèse|croître]] par [[Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques|{{Abréviatio ...

...mme pour la [[berlinite]] [[Phosphate d'aluminium|{{fchim|AlPO|4}}]], la [[Cristallogenèse|croissance du cristal]] se produit de manière hydrothermale à des températu ...

...sement]] (cas le plus courant), par augmentation de la [[pression]], par [[cristallogenèse|cristallisation]], par [[catalyse]] ou bien par une combinaison de ces phén ...

...dans les conditions normales de température et de pression, il peut être [[Cristallogenèse|déposé]] par [[hétéroépitaxie]] sous forme de [[Couche mince|couches minces ...sitifs à semiconducteurs de puissance verticaux en raison de son taux de [[Cristallogenèse|croissance]] rapide<ref name="10.1007/s13391-021-00333-5"> ...

...cité de détection. Par contre, du fait de la difficulté à maîtriser leur [[cristallogenèse]], les volumes de détection sont limités à quelques cm³ par cris ...

...ser l'utilisation (souvent coûteuse) d'un seul type d'isotope lors de la [[Cristallogenèse|croissance cristalline]] du matériau étudié ...

La [[Cristallogenèse|croissance]] de [[Couche mince|couches minces]] en nitrure de gallium peut ...ue|composant]]. Un moyen de réduire ces inconvénients est de réaliser la [[Cristallogenèse|croissance]] du GaN selon un plan incliné de 30° par rapport à celui du sap ...

...iapasons sont mis dans des tubes électroniques.<br />Les premiers quartz [[Cristallogenèse|synthétiques]] sont obtenus en laboratoire vers [[1905 en science|1905]], e ...

}}.</ref> ; on a pu faire [[Cristallogenèse|croître]] en 2020 des [[Cristal|cristaux]] hexagonaux de [[silicium]]-[[ger ...

...ennent des techniques de croissance du matériau, les anciens procédés de [[cristallogenèse]] utilisant des flux moins purs que l'actuel [[procédé de Czochralski]]<ref ...

Les concentrations en impuretés peuvent être contrôlées par la [[Cristallogenèse|croissance cristalline]] ou par l’addition directe d’impuretés aux solution ...

...103-107|issn=0365-110X|doi=10.1107/S0365110X57000304}}</ref>. Le composé [[cristallogenèse|cristallise]] dans un système cubique avec les atomes de plomb dans un sous ...

...e de n'utiliser que des isotopes n'absorbant pas les neutrons lors de la [[cristallogenèse|synthèse]] du cristal, par exemple le {{exp|11}}B dans le cas du bore. ...

...st le cas de l'[[épitaxie]], de la [[pulvérisation cathodique]] ou de la [[cristallogenèse]]. De plus la nature même de ces méthodes limite la taille des échantillons ...