Ellipsométrie

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Ellipsomètre dans un laboratoire du LAAS à Toulouse.
L'ellipsomètre calcule uniquement Psi et Delta, et c'est à partir de cela qu'il réalise ses calculs.

L’ellipsométrie est une technique optique de caractérisation et d'analyse de surface, fondée sur le changement d'état de polarisation de la lumière, par réflexion de la lumière sur la surface plane d'un échantillon. Bien que son principe soit connu depuis le début du Modèle:S-, c'est surtout à partir des années 1990, avec l'apparition d'ellipsomètres spectroscopiques, que son utilisation s'est généralisée, en particulier dans le domaine de la micro-électronique. La technique présente l’avantage d’être très simple et rapide à mettre en œuvre, d’être non destructive, de permettre des suivis in situ et en temps réel et d’être applicable à une très large gamme d’échantillons. Elle est largement mise en œuvre pour la caractérisation des milieux isotropes. On peut citer parmi ses nombreuses applications :

  • mesure des constantes optiques des matériaux ;
  • mesure de l'épaisseur de couches minces (du nanomètre au micromètre) telles que les couches antireflets, couches d'or, de silice ou de silicium dans les circuits intégrés ;
  • suivi in situ de la croissance d'une couche ;
  • caractérisation des interfaces liquide-solide ou liquide-liquide ;
  • analyse des couches de protection (électrodéposition, dépôt plasma, polymères), traitement de surface par recuit (application dans la métallurgie) ;
  • mesure de rugosité d'une surface ;
  • mesure, par scatterométrie, des propriétés (matériaux, géométrie) d'un motif périodique.

Principe d'un ellipsomètre

Dans sa version la plus simple un ellipsomètre met en jeu un faisceau lumineux collimaté à une incidence donnée et polarisé linéairement à 45°. La réflexion du faisceau sur l'échantillon modifie l'état de polarisation et l'intensité du faisceau est mesurée en fonction de l'angle d'un second polariseur (l'analyseur). On obtient typiquement une réponse sinusoïdale de période 180°. Dans cette sinusoïde, on ne tient pas compte de l'intensité absolue, et on extrait seulement le rapport de l'intensité maximale à l'intensité minimale, et l'angle du minimum. Ces valeurs, établies traditionnellement comme deux angles Ψ et Δ, correspondent au rapport des amplitudes de réflexion des polarisations p et s, amplitude et phase.

Dans les ellipsomètres plus perfectionnés on déphase les deux polarisations, avant et/ou après l'échantillon, pour augmenter le contraste de la réponse, et même mesurer des situations d'extinction du faisceau réfléchi.

Des deux paramètres Ψ et Δ on ne peut à angle incidence fixé extraire que deux valeurs inconnues de l'échantillon : partie réelle et imaginaire de l'indice de réfraction d'un substrat homogène et isotrope, indice de réfraction et épaisseur d'un diélectrique non absorbant sur un substrat connu, etc. La mesure à plusieurs angles d'incidences permet d'améliorer la connaissance du système.

Les ellipsomètres spectroscopiques couplent un ellipsomètre à un spectroscope. Cela permet de faire plus que d'obtenir les valeurs d'un système à diverses longueurs d'onde. En mettant en œuvre des modèles de l'indice des matériaux de l'objet observé (notamment par l'équation de Sellmeier) on a un nombre réduit de paramètres pour décrire l'ensemble de la réponse, et ceux-ci peuvent être déterminés avec une bonne précision.

Les angles ellipsométriques

Pour représenter les composantes, amplitudes et phase d'une donnée a en excitation monochromatique, on utilise communément l'amplitude complexe a_, avec a=(a_eiωt) (convention eiωt) ou bien a=(a_eiωt) (convention eiωt) avec, dans le cas de la lumière, ω=2πcλ la fréquence angulaire de l'excitation de longueur d'onde λ.

Ainsi, avec l'écriture amplitude et phase a_=|a|eiϕ, on a a=|a|cos(ϕωt) (convention eiωt).

Incidence sur une surface.

La modification du champ électrique après réflexion sur l'échantillon peut être représentée par deux coefficients agissant sur chaque composante du champ électrique :

  • le coefficient de réflexion de l'échantillon pour la polarisation parallèle au plan d'incidence

r_p=E_prE_pi=|E_pr|eiφpr|E_pi|eiφpi=|r_p|eiδp (convention eiωt, eiδp pour la convention eiωt)

  • le coefficient de réflexion de l'échantillon pour la polarisation perpendiculaire au plan d'incidence

r_s=E_srE_si=|E_sr|eiφsr|E_si|eiφsi=|r_s|eiδs.

Les modules |r_p| et |r_s| représentent l'atténuation de l'amplitude et leur argument, δp et δs, le changement de phase après réflexion.

L'ellipsomètre ne mesure pas chacune des amplitudes de réflexion complexes des ondes p et s mais seulement leur rapport ρ_=r_pr_s=|r_p||r_sei(δpδs). C'est ce rapport des amplitudes de réflexion complexe qui est donné à partir des deux angles ellipsométriques Ψ et Δ : ρ_=tanΨeiΔ (convention eiωt). La tangente de l'angle tanΨ=|r_pr_s| est le rapport des modules et Δ=δpδs la différence des phases. Pour la convention eiωt, on a ρ_=tanΨeiΔ et Δ=(δpδs).

Les angles Ψ et Δ, caractéristiques de la surface étudiée, sont appelés angles ellipsométriques à la longueur d'onde λ et à l'angle d'incidence θ considérés.

On a 0Ψ<π2 et 0Δ2π.

Exemple de l'étude d'un substrat homogène

Montage schématique d'une expérience d'ellipsométrie.

Considérons une surface et un faisceau incident de lumière polarisée. Une partie du faisceau est transmise ou absorbée à travers la surface, une autre est réfléchie. Dans les deux cas, l'état de polarisation du faisceau a changé. L'ellipsométrie est une technique qui mesure le changement de polarisation dû à la réflexion (ellipsométrie par réflexion) ou à la transmission (ellipsométrie par transmission). Cette modification de l'état de polarisation de la lumière incidente dépend de la surface étudiée.

La propagation du champ électrique suivant le faisceau Oz peut s'écrire dans un système d'axe cartésien à l'aide du vecteur de Jones, soit E=|E_x=A_xeiδxE_y=A_yeiδy (convention eiωt, eiδx,y pour la convention eiωt).

Les états de polarisation propres d'une onde en réflexion ou en transmission à l'interface de deux milieux isotropes sont les états linéaires, parallèles p et perpendiculaires s au plan d'incidence. Nous introduisons, alors :

  • les deux composantes orthogonales du vecteur champ électrique incident E_pi et E_si(n'importe quel état de polarisation d'une onde incidence peut toujours être décomposé sur cette base).
  • les composantes du vecteur champ électrique de la lumière réfléchie E_pr et E_sr,
  • les composantes du champ transmis E_pt et E_st.
Schéma de la réflexion et de la réfraction sur un dioptre faisant intervenir les coefficients de Fresnel.

Pour deux milieux 1 et 2 homogènes et isotropes la loi de Descartes s'applique : N_1sinθ_1=N_2sinθ_2=sinθi avec θi l'angle d'incidence du faisceau dans l'air, et N_=n+ik l'indice de réfraction complexe (convention eiωt, nik pour la convention eiωt). La dépendance spatio-temporelle de l'amplitude des ondes, solutions des équations de Maxwell, est de la forme ei2πλ(N_(±cosθ_z+sinθ_x)ct). Dans la direction de propagation z, l'amplitude varie comme ei2πnzλe2πkzλ La partie réelle de l'indice complexe caractérise la longueur d'onde dans le matériau λn et la partie imaginaire, appelée coefficient d'extinction, caractérise la longueur d'atténuation de l'intensité λ4πk.

Les conditions de continuité de Ex,Ey,Hx,Hz pour ces ondes permettent d'établir les équations de Fresnel : r_p=E_prE_pi=N_2cosθ1N_1cosθ2N_2cosθ1+N_1cosθ2 et r_s=E_srE_si=N_1cosθ1N_2cosθ2N_2cosθ2+N_1cosθ1.

r_p et r_s sont les coefficients de réflexions complexes caractérisant la réflexion. Notons que dans le cas des milieux transparents le coefficient rp s'annule pour l'angle d'incidence θB tel que tanθB=n2n1 ; c'est l'angle de Brewster.

Si on fait l'ellipsométrie d'un matériau isotrope massif d'indice n+ik, il est aisé de calculer cet indice à partir de ρ=tanΨeiΔ (convention eiωt) par la formule :

n+ik=(1(1ρ1+ρtanθi)2)12sinθi. On obtient par la même formule nik si on part de ρ=tanΨeiΔ.

Sources

Modèle:Portail