Oxyde d'hafnium(IV)
L'oxyde d'hafnium(IV), ou dioxyde d'hafnium, ou encore hafnie, est un composé chimique de formule brute Modèle:Fchim. Il se présente sous la forme d'un solide incolore et est pratiquement insoluble dans l'eau et les solvants organiques. Il s'agit d'un isolant électrique ayant une largeur de bande interdite d'environ Modèle:Unité/2[1]. C'est le composé le plus commun et le plus stable de l'hafnium, ainsi qu'un intermédiaire de certains procédés de production d'hafnium métallique. On peut l'obtenir par chauffage de Modèle:Tmp de l'hydroxyde, de l'oxalate, du sulfate ou de l'oxychlorure d'hafnium.
Il possède une dureté élevée, un faible coefficient de dilatation thermique, et est chimiquement très semblable à la zircone Modèle:Fchim. Cristallisé dans le système monoclinique à température ambiante, il connaît une transition de phase vers un système quadratique autour de Modèle:Tmp.
Usage
L'oxyde d'hafnium(IV) est employé comme revêtement optique ainsi que dans l'industrie des semi-conducteurs comme [[Diélectrique high-k|diélectrique Modèle:Nobr]] de condensateurs pour DRAM en raison de sa permittivité de 24[2] — à comparer à 3,9 pour le dioxyde de silicium Modèle:Fchim.
Modèle:Fchim est utilisé pour la production des mémoires de masse, compatible à mémoire CMOS[3], nommée FeFETs et des transistors[4].
L'oxyde d'hafnium est également testé depuis quelques années comme amplificateur de radiothérapie dans le traitement de cancers solides[5]. Un premier essai de phase II/III a démontré son efficacité[6].