Oxyde de gallium(I)
Modèle:Infobox Chimie L’oxyde de gallium(Modèle:I) est un composé chimique de formule Modèle:Fchim. Il s'agit d'un solide brun-noir diamagnétique stable au contact de l'air sec. Il se sublime à Modèle:Tmp dans un flux de gaz inerte sous une pression de Modèle:Unité, et à partir de Modèle:Tmp dans un vide poussé, où il se décompose en gallium et oxyde de gallium(III) Modèle:Fchim à partir de Modèle:Tmp[1].
L'oxyde de gallium(I) peut être obtenu en faisant réagir de l'oxyde de gallium(III) avec du gallium chauffé sous vide[1] :
- [[Oxyde de gallium(III)|Modèle:Fchim]] + 4 Ga ⟶ 3 Modèle:Fchim.
Il peut également être obtenu en faisant réagir du gallium avec du dioxyde de carbone Modèle:Fchim à basse pression et à Modèle:Tmp[2] :
- 2 Ga + [[Dioxyde de carbone|Modèle:Fchim]] ⟶ Modèle:Fchim + CO.
Il se forme également lors de la fabrication de wafers d'arséniure de gallium par réaction du gallium avec le dioxyde de silicium des parois en verre de quartz[3]Modèle:,[4] :
- 4 Ga + [[Dioxyde de silicium|Modèle:Fchim]] ⟶ 2 Modèle:Fchim + Si.
Notes et références
- ↑ 1,0 et 1,1 Erreur de référence : Balise
<ref>incorrecte : aucun texte n’a été fourni pour les références nommées3-432-02328-6 - ↑ Modèle:En N. N. Greenwood, « The Chemistry of Gallium », H. J. Emeléus et A. G. Sharpe, Advances in inorganic chemistry and radiochemistry, Modèle:Vol., Academic Press, New York, 1963, Modèle:P., ici Modèle:P.. Modèle:ISBN
- ↑ Modèle:En Paul Siffert et Eberhard Krimmel, Silicon: Evolution and Future of a Technology, Springer, 2004, Modèle:P.. Modèle:ISBN
- ↑ Modèle:En L.-J. Chou, Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD), The Electrochemical Society, 2007, Modèle:P.. Modèle:ISBN