Résultats de la recherche
Aller à la navigation
Aller à la recherche
Correspondances dans les titres des pages
- | nom = Arséniure d'aluminium | autrescations = [[Arséniure de bore]]<br>[[Arséniure de gallium]]<br>[[Arséniure d'indium]] ...7 kio (896 mots) - 8 novembre 2024 à 13:02
- | nom = Arséniure de bore | autrescations = [[Arséniure d'aluminium]]<br>[[Arséniure de gallium]]<br>[[Arséniure d'indium]] ...14 kio (1 711 mots) - 8 novembre 2024 à 12:36
- | nom = Arséniure de zinc ...8;">__</span> [[Arséniure|As{{exp|3−}}]]<br>[[Structure cristalline]] de l'arséniure de zinc ...10 kio (1 152 mots) - 11 novembre 2024 à 22:10
Correspondances dans le texte des pages
- ...pour [[Silicium|Si]], [[Germanium|Ge]], [[Arséniure de gallium|GaAs]] et [[Arséniure d'indium|InAs]] massifs par la méthode ''{{Lien|langue=en|trad=Tight bindin | [[Arséniure de gallium]] (GaAs) || 0,067 || 0,45 ...3 kio (401 mots) - 14 janvier 2023 à 19:30
- | nom = Arséniure d'aluminium | autrescations = [[Arséniure de bore]]<br>[[Arséniure de gallium]]<br>[[Arséniure d'indium]] ...7 kio (896 mots) - 8 novembre 2024 à 13:02
- | autresanions = [[Nitrure de gallium]]<br>[[Arséniure de gallium]]<br>[[Antimoniure de gallium]] Comme l'[[arséniure de gallium]], le phosphure de gallium a une [[Cristallographie|structure cr ...4 kio (429 mots) - 9 mars 2025 à 22:45
- | nom = Arséniure de zinc ...8;">__</span> [[Arséniure|As{{exp|3−}}]]<br>[[Structure cristalline]] de l'arséniure de zinc ...10 kio (1 152 mots) - 11 novembre 2024 à 22:10
- [[Fichier:Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png|thumb|right|200 px|maille d'arséniure de gallium]] ...tellurure de béryllium|BeTe]]...), III-V ([[arséniure de gallium|GaAs]], [[arséniure d'aluminium|AlAs]], [[phosphure d'indium|InP]]...) ou d'alliage de silicium ...6 kio (937 mots) - 7 mars 2025 à 11:54
- | nom = Arséniure de bore | autrescations = [[Arséniure d'aluminium]]<br>[[Arséniure de gallium]]<br>[[Arséniure d'indium]] ...14 kio (1 711 mots) - 8 novembre 2024 à 12:36
- ...ure de bore'' dans la littérature, ce qui est ambigu dans la mesure où l'[[arséniure de bore]] est le composé de formule BAs. Il s'agit d'un solide [[cristal]]l [[Catégorie:Arséniure]] ...9 kio (975 mots) - 8 novembre 2024 à 12:33
- ...le [[phosphure de gallium]] (GaP), l'[[antimoniure de gallium]] (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc. ...7 kio (808 mots) - 23 janvier 2025 à 23:22
- ...}}-{{V}}]] sont à gap direct, comme l'[[arséniure de gallium]] GaAs et l'[[arséniure d'indium]] InAs, tandis que d'autres sont à gap indirect, comme l'[[antimon ...8 kio (1 124 mots) - 29 octobre 2024 à 19:51
- Dans l'[[arséniure de gallium]], à la température ambiante, la mobilité vaut à peu près {{unit ...4 kio (573 mots) - 13 mai 2024 à 23:51
- ...n'utilisent que les longueurs d'onde visibles et [[ultraviolet]]tes ; l'[[arséniure de gallium]] GaAs un semiconducteur à gap direct avec une largeur de bande ...le [[tellurure de cadmium]], {{unité|1.424|[[Électron-volt|eV]]}} pour l'[[arséniure de gallium]], ou encore {{unité|1.1|[[Électron-volt|eV]]}} pour le [[silici ...16 kio (2 322 mots) - 20 novembre 2024 à 10:23
- === Les matériaux composés : exemple du [[Arséniure de gallium|GaAs]] === ...icale du maximum de la [[bande de valence]] dans l'espace des moments. L'[[arséniure de gallium]] (GaAs) possède cette propriété et fut le premier utilisé avec ...15 kio (2 290 mots) - 13 janvier 2025 à 18:03
- ...exemple le cas du [[silicium]] (Si, colonne IV), qui est un dopant de l'[[arséniure de gallium]] (GaAs) : si le Si se met en substitution d'un atome de [[galli **[[Arséniure de gallium]] ...14 kio (2 184 mots) - 25 février 2025 à 19:10
- ...es in Bulk CMOS (PDF)] — Kent H. Lundberg</ref> et des transistors FET à l'arséniure de [[gallium]]. ...4 kio (652 mots) - 2 juillet 2024 à 22:20
- | [[Arséniure d'aluminium|AlAs]] || [[Gap direct et gap indirect|Indirect]] || {{unité|2 | [[Arséniure d'aluminium-gallium|{{fchim|Al|{{mvar|x}}|Ga|1−{{mvar|x}}|As}}]] || {{nobr| ...23 kio (3 135 mots) - 12 janvier 2024 à 12:00
- ...-V}} tels que [[Arséniure de gallium|GaAs]], [[Phosphure d'indium|InP]], [[Arséniure de gallium-aluminium|{{fchim|Al|x|Ga|1-x|As}}]], qui ont de nombreuses appl ...10 kio (1 263 mots) - 23 octobre 2024 à 14:25
- | autresanions = [[Nitrure de gallium]]<br>[[Phosphure de gallium]]<br>[[Arséniure de gallium]] ...6 kio (733 mots) - 8 novembre 2024 à 12:41
- Il se forme également lors de la fabrication de [[wafer]]s d'[[arséniure de gallium]] par réaction du gallium avec le [[dioxyde de silicium]] des pa ...7 kio (865 mots) - 6 juillet 2023 à 20:31
- ...ne|structure]] proche de celle de l'{{Lien|langue=de|trad=Nickelarsenid|fr=arséniure de nickel}} ([[groupe d'espace]] {{nobr|''P''6{{ind|3}}/''mmc''}} ; {{n°|[[ ...7 kio (894 mots) - 4 janvier 2023 à 15:48
- ...dépens des [[sulfure]]s, [[sulfo-arséniure]]s et des [[Arséniure (minéral)|arséniure]]s. ...18 kio (2 411 mots) - 12 décembre 2024 à 01:42